Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.
Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité qui abordera :
- Operation Mechanism of GaN-based Transistors Elucidated by
Element-Specific X-ray Nanospectroscopy
Source : www.scopus.com – 2018-12-01
Lire la suite - Modeling the effect of damage on electrical resistivity of melt-infiltrated
SiC/SiC composites
Source : www.scopus.com – 2018-12-01
Lire la suite - Design and simulation on improving the reliability of gate oxide in SiC CDMOSFET
Source : www.sciencedirect.com – 2018-11-24
Lire la suite - Infineon shows production GaN devices
Source : www.eenewseurope.com – 2018-11-14
Lire la suite - 1700V SiC module provides reliability in extreme environments
Source : www.eenewspower.com – 2018-11-14
Lire la suite - Reliability of GaN power transistors (Keynote Session)
Source : www.researchgate.net – 2018-11-01
Lire la suite - 600V gallium nitride FETs with integrated drivers show 99 percent efficiency
Source : www.eenewspower.com – 2018-10-30
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