Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.
Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera :
- [tel-03001284] Réalisation et optimisation de transistors HEMT GaN forte puissance et haute fréquence par technologie de transfert de couches sur substrat hôte
Source : tel.archives-ouvertes.fr – 2020-11-12
Lire la suite - Réalisation et optimisation de transistors HEMT GaN forte puissance et haute fréquence par technologie de transfert de couches sur substrat hôte by Mahmoud Abou Daher
Source : www.theses.fr – 2020-11-12
Lire la suite - TI lance les tout premiers transistors à effet de champ au nitrure de gallium
Source : www.electronique-mag.com – 2020-11-10
Lire la suite - Space Radiation Poses Challenge for Electronics – Eetasia.com
Source : www.eetasia.com – 2020-11-04
Lire la suite - [tel-02907971] Méthodes et analyses physico-expérimentales des mécanismes liés à la résistance dynamique dans les composants HEMT GaN de puissance
Source : hal.laas.fr – 2020-11-04
Lire la suite - System-level evaluation of dynamic effects in a GaN-based class-E power amplifier
Source : www.scopus.com – 2020-11-01
Lire la suite