Ces modules de puissance de 750 V et 1200 V ont été optimisés en termes de robustesse, de fiabilité et de performances pour cibler les véhicules électriques.
Deux mois après avoir lancé la construction d’une usine de tranches en carbure de silicium sur son site de Catane (Sicile), STMicroelectronics poursuit son offensive en solutions à base de SiC avec le lancement de nouvelles séries de modules de puissance basés sur la troisième génération de ses Mosfet SiC STPOWER qui équipent déjà plus de trois millions de voitures électriques à travers le monde, selon le groupe franco-italien.
Montés en boîtier ACEPACK DRIVE de ST optimisé en termes de fiabilité, de robustesse et de facilité d’intégration, ces modules de puissance ciblent les véhicules électriques, en particulier les convertisseurs DC-DC, les onduleurs de traction et les chargeurs embarqués (OBC) avec un fonctionnement bidirectionnel conçu pour assurer le transfert de l’énergie entre le véhicule et le réseau (V2G).
Pour en savoir plus : ST dévoile sa 3è génération de modules de puissance en SiC