L’utilisation du nitrure de gallium et des contrôleurs numériques aide les concepteurs à améliorer la puissance volumique, l’efficacité de conversion, la réponse dynamique et la fiabilité de leurs systèmes…
Texas Instruments (TI), leader dans le domaine des solutions de semiconducteurs haute tension, annonce que LITEON Technology a retenu le transistor à effet de champ (FET) au nitrure de gallium (GaN) hautement intégré LMG3522R030 ainsi que les microcontrôleurs en temps réel C2000TM TMS320F28003x pour équiper son tout dernier bloc d’alimentation de serveur haute performance à destination du marché nord-américain. Grâce aux composants de TI, cette nouvelle alimentation garantira une puissance volumique supérieure à 95 W/in³ et respectera les critères de la norme 80 Plus Titanium.
« Notre collaboration avec LITEON est un exemple de la manière dont TI aide les ingénieurs à répondre aux nécessités des systèmes haute tension grâce à son savoir-faire complet et à son portefeuille spécialisé de semiconducteurs dédiés », déclare Luke Lee, vice-président de TI pour l’Asie et président pour Taïwan, la Corée et l’Asie du Sud. « En associant les avantages des produits au nitrure de gallium et des microcontrôleurs en temps réel C2000TM de TI, les concepteurs sont en mesure de proposer des systèmes plus fiables et plus compacts pour répondre à la demande ».
Pour en savoir plus : La technologie au nitrure de gallium et les microcontrôleurs en temps réel de TI