Farnell : Les MOSFET en carbure de silicium de 3ème génération de Toshiba sont disponibles

Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de Toshiba améliorent l’efficacité et permettent d’économiser de l’espace dans les applications industrielles…

Farnell a annoncé la mise sur le marché des MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de troisième génération de Toshiba. Les concepteurs peuvent obtenir une efficacité accrue, réduire la taille dans les applications industrielles et fournissent jusqu’à 80 % d’amélioration des pertes statiques et dynamiques. Ces produits très polyvalents conviennent à une grande variété d’applications exigeantes, notamment les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans interruption (UPS) pour les serveurs, les centres de données et les équipements de communication. On les utilise également dans les énergies renouvelables, notamment les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs DC-DC bidirectionnels utilisés pour la recharge des véhicules électriques (VE).

Les nouveaux MOSFET SiC de 650 V TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C et TW107N65C présentent les avantages suivants :

 Les structures cellulaires sont basées sur celles utilisées dans les appareils de deuxième génération de Toshiba, ce qui optimise le processus SiC avancé de troisième génération.

 Cela réduit considérablement les pertes et permet le développement de solutions d’alimentation avec des densités de puissance plus élevées et des coûts de fonctionnement plus faibles. Un facteur de mérite clé calculé comme le produit de la résistance à l’état passant drain-source (RRDS (on)) et de la charge grille-drain (Qg) pour représenter à la fois les pertes statiques et dynamiques s’est amélioré d’environ 80 %.

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