Cambridge GaN Devices (CGD) a annoncé que des recherches tierces indépendantes menées par un établissement de recherche universitaire, Virginia Tech University, démontrent que la technologie ICeGaN GaN du CGD est plus fiable et robuste que les autres plateformes GaN.
L’article « A GaN HEMT with Exceptional Gate Over-Voltage Robustness », présenté par des chercheurs de Virginia Tech et Daniel Popa, directeur de l’innovation et de la recherche, CGD, fournit des preuves expérimentales qui montrent que les HEMT ICeGaN, activés par des circuits de protection intelligents, montrent un marge de surtension exceptionnellement élevée de plus de 70 V, ce qui est comparable aux dispositifs au silicium traditionnels de pointe, et peut-être même plus.
Pour en savoir plus : Virginia tech prouve la robustesse du CGD GaN