Transphorm a démontré un temps de tenue aux courts-circuits (SCWT) jusqu’à 5 microsecondes sur un transistor de puissance GaN avec une nouvelle technologie brevetée.
Il s’agit du premier temps de tenue de ce type pour un dispositif GaN, marquant une étape importante pour les onduleurs robustes tels que les servomoteurs, les moteurs industriels et les groupes motopropulseurs automobiles. Ceux-ci sont traditionnellement servis par des IGBT en silicium ou des MOSFET en carbure de silicium (SiC).
La technologie de court-circuit a été démontrée sur un nouveau dispositif GaN de 15 mΩ 650 V. Celui-ci a atteint un rendement maximal de 99,2 % et une puissance maximale de 12 kW dans des conditions de commutation dure à 50 kHz. L’appareil a démontré non seulement ses performances, mais également sa fiabilité, satisfaisant aux exigences de contrainte à haute température et haute tension.
Pour en savoir plus : Transphorm GaN atteint la robustesse des courts-circuits pour les entraînements de moteurs