Le groupe allemand a déposé plainte ce jour, devant un tribunal californien, contre l’entreprise chinoise pour violation d’un brevet relatif aux composants de puissance en nitrure de gallium.
Alors que le GaN monte progressivement en puissance, dans tous les sens du terme, il y a fort à parier que les batailles de brevets relatifs à cette technologie s’amplifient dans les mois et années à venir.
Par l’intermédiaire de sa filiale autrichienne, Infineon Technologies a par exemple déposé une plainte, ce jour, devant un tribunal de Californie, à l’encontre de la société chinoise Innoscience Technology et sa filiale américaine Innoscience America pour violation d’un brevet américain relatif à la technologie GaN et appartenant au groupe allemand. Le brevet en question couvre notamment les innovations qui permettent d’améliorer la fiabilité et les performances des dispositifs GaN.
Infineon estime qu’Innoscience viole ce brevet en fabriquant, utilisant, vendant et/ou important aux États-Unis des transistors GaN à destination des secteurs de l’automobile, des centres de données, de l’énergie solaire, des entraînements moteurs, des produits d’électronique grand public, etc.
Pour en savoir plus : INFINEON ACCUSE INNOSCIENCE DE VIOLATION D’UN BREVET LIÉ AU GAN