La plateforme XSICM03 de nouvelle génération offre une réduction de la taille des cellules de conception tout en maintenant des contrôles de processus robustes, ainsi que des performances de fuite et de rupture des dispositifs.
La plateforme XSICM03 avec des règles de conception robustes permet aux clients de créer des MOSFET planaires SiC avec une taille de cellule réduite de plus de 25 % par rapport à la génération précédente. Cette amélioration permet une augmentation de jusqu’à 30 % du nombre de puces par wafer par rapport à la génération précédente.
En tirant parti des blocs de processus éprouvés, la plateforme garantit une fiabilité exceptionnelle de l’oxyde de grille et une robustesse des dispositifs. La bibliothèque PCM enrichie et le support de conception amélioré permettent une sortie rapide des clients, résultant en un développement de produit plus rapide.
Pour en savoir plus : XSICM03 : Une avancée technologique pour les MOSFET SiC