Horaire : 12h30 – 13h30
Lieu : Visio conférence
Programme : Les transistors GaN
Les transistors à haute mobilité électronique à base de nitrure de gallium commencent à se développer dans plusieurs types d’applications : convertisseurs, hacheurs, radars. Grâce à un gap élevé, ils possèdent une tension d’avalanche élevée comparée aux matériaux classiques de l’électronique (Si, SiGe, GaAs, InP). Ils ont également une bonne conductivité thermique (1,3W.m-1.K-1). Malgré ces qualités, les transistors à haute mobilité électronique à base de Nitrure de Gallium sont complexes et leur fabrication à l’échelle industrielle reste difficile pour obtenir des transistors avec peu de défauts cristallins. Même si la qualité de fabrication progresse, la maturité de cette technologie ne permet pas encore de comprendre tous les problèmes inhérents à la fiabilité. La présentation se focalisera sur cette technologie et les exemples d’études de fiabilité pour des composants radiofréquence et pour les convertisseurs.
La présentation sera réalisée par Olivier Latry, professeur au département de génie électrique et informatique industrielle du groupe de physique des matériaux (GPM).