Une fois n’est pas coutume, ce Rendez-Vous Fiabilité du CFF est couplé à une Tech Hour dédiée à la Fiabilité électronique : nous vous présentons une compétence portée par l’un des membre du CFF. Accès gratuit en visioconférence. Le CFF, le Centre Français de Fiabilité, c’est un Regroupement d’experts de la fiabilité des systèmes et des composants électroniques. Il regroupe à l’échelle nationale, des entités académiques et industriels, des laboratoires et des unités de recherche, de grands groupes et des PME/ETI.
Cette session sera assurée par Le laboratoire SATIE , CNRS UMR 8029.
Date : 28/11/23
Horaire : 12h30 – 13h15
Format : Visio conférence (WEB EX)
Le sujet qui sera présenté au cours de cette session :
Résumé : Les fils de bonding utilisés pour les modules de puissances IGBT se dégradent suite au contraintes thermomécanique engendré par des variations de température. Un modèle de propagation de fissure basé sur la variation de la déformation plastique et une corrélation entre le comportement macroscopique et la microstructure font l’objet de cette étude.
Présentation réalisée par
Le laboratoire SATIE (systèmes et applications des technologies de l’information et de l’énergie), CNRS UMR 8029, est un laboratoire de génie électrique reconnu pour son expertise en électronique de puissance (intégration, CEM, fiabilité) ainsi qu’en modélisation électromagnétique.
Inscription gratuite mais obligatoire en renseignant le formulaire suivant
Fin des inscriptions le vendredi 18h00 avant le Tech Hour
Le laboratoire SATIE (systèmes et applications des technologies de l’information et de l’énergie), CNRS UMR 8029, est un laboratoire de génie électrique reconnu pour son expertise en électronique de puissance (intégration, CEM, fiabilité) ainsi qu’en modélisation électromagnétique.
En fiabilité, le laboratoire SATIE est expert en estimation de durée de vie des composants électronique de puissance : mécanismes de dégradations, tests et caractérisations (vieillissement accéléré en DC et PWM), physique du semi-conducteur soumis à des régimes extrêmes. Applications aux composants Si et grand-gap.