Avec le développement des nouveaux composants de puissance à grand gap plus performants que leurs homologues en Silicium et l’intégration croissante de ces composants dans le véhicule électrique, la compatibilité électromagnétique est devenue un enjeu important pour le respect des normes de conformité en vigueur. La thèse traite donc les méthodes de modélisation haute fréquence des composants grand gap. Les problèmes liés à la fiabilité et la précision des modèles actuels sont mis en évidence. Ensuite, un nouveau modèle générique est proposé avec des formulations spécifiques lui permettant de mieux reproduire les caractéristiques statiques et dynamiques des MOSFETs en SiC. Des bancs de test ont été mis en place permettant de caractériser ces nouveaux composants avec des précautions spécifiques afin d’améliorer la précision de ces mesures. L’utilisation d’un algorithme génétique développé pour identifier les paramètres du modèle générique proposé, a permis une reproduction fine des caractéristiques mesurées expérimentalement de plusieurs compos
