Les convertisseurs de puissance occupent une place importante dans l’ingénierie des systèmes électriques. Les puissances nominales augmentent et les convertisseurs statiques doivent répondre à ces besoins notamment en termes de compacité. Cette amélioration s’explique notamment par l’utilisation de dispositifs semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) à base de carbure de silicium (SiC) et de nitrure de gallium (GaN) qui autorisent des fréquences de découpage et une température de fonctionnement nettement plus élevées. Cependant, les temps de commutation plus courts qui en découlent ne sont exploitables que si les éléments parasites du boîtier sont réduits au minimum afin de profiter pleinement de ces nouveaux composants.Les éléments parasites, inductances en particulier, sont source de pertes qui réduisent l’efficacité et la fiabilité du convertisseur, et ce en générant du bruit par IEM (Interférences électromagnétiques).
Contribution à l’interconnexion de composants actifs intégrés dans des substrats laminés : apport des interfaces micro ou nano-structurées
