Le centre de R&D a développé un procédé de croissance du GaN sur tranche de silicium de 200, voire 300 mm de diamètre, moins onéreux que le procédé GaN sur substrat SiC conventionnel, mais quasiment aussi performant jusqu’à 30 GHz et plus.
Les substrats SiC hautes performances généralement utilisés pour faire croître les couches de GaN sont très coûteux, disponibles uniquement en tailles relativement petites, et nécessitent un traitement dans des salles blanches dédiées.
Pour résoudre ce problème, le CEA Letitravaille depuis plusieurs années sur un procédé de croissance du nitrure de gallium sur substrat silicium (GaN/Si) qui s’avère bien moins onéreux que le procédé GaN/SiC traditionnel, d’autant qu’il est compatible avec la technologie Cmos classique et peut par conséquent bénéficier des installations de salles blanches hautes performances existantes. Mais jusqu’ici, il y avait un hic : les performances obtenues avec ce procédé.
Pour en savoir plus : LE CEA LETI PLANCHE SUR LA RÉDUCTION DU COÛT DES TRANSISTORS GAN POUR APPLICATIONS RF