GPM
GROUPE DE PHYSIQUE DES MATÉRIAUX
TUTELLE
CNRS Centre National de la Recherche Scientifique.
UNIVERSITÉ ROUEN NORMANDIE
Réseau d’appartenance : Carnot ESP, Labex EMC3
SECTEUR D’ACTIVITÉ
- Recherches dans les sciences et mécaniques des matériaux (métaux, composites), instrumentation scientifique, Nanosciences, Physiques des polymères et Nanoparticules et environnement-santé
DOMAINE DE COMPÉTENCES
- Microstructure des alliages métalliques et leur vieillissement ou amélioration : matériaux et nanomatériaux métalliques, métallurgie, analyse micro-structurale d’alliages à hautes performances.
- Spécialiste des matériaux de la microélectronique et de la défaillance des composants électroniques.
- Problématiques liées à : comportement et vieillissement des matériaux, interaction laser-matière, matériaux pour la micro nano-électronique, oxydation et corrosion, comportements mécaniques.
- Physiques des polymères et composites
- Modélisation et simulation numérique.
GPM
Avenue de l’Université, BP12
76801 Saint Etienne du Rouvray
T 02 32 95 51 69
christine.vurpillot@univ-rouen.fr
http://gpm.univ-rouen.fr/
Contact
Xavier Sauvage
Directeur
La fiabilité électronique étudiée au nanomètre près
Le projet Defatom (Défaillance à l’échelle atomique) a vocation à identifier les causes de la défaillance à l’échelle atomique des composants électroniques. Elle peut être liée à un problème de diffusion atomique, a un court-circuit de diffusion, à des défauts structuraux… « Nous mettons les puces électroniques en condition de fonctionnement. Elles sont en place dans des radars, des avions ou des voitures pendant des milliers d’heures. Sous l’effet des conditions atmosphériques, des tensions électriques par exemple, des dégradations se produisent. Parmi les millions de transistors, il s’agit d’extraire et d’étudier celui qui pose problème », explique Philippe Pareige, directeur du laboratoire. Un travail réalisé à l’échelle de 1 nanomètre. Les secteurs de l’aéronautique et de la défense, ainsi que l’automobile, sont les premiers intéressés par ces analyses innovantes.
Banc de vieillissement RF pulsé
GPM a amélioré les méthodes de stress classiques des transistors de puissances radiofréquences. Cette approche consiste à intégrer les spécificités de fonctionnement des transistors utilisés en profil de vie type « RADAR » pour estimer leur durée de vie de manière plus réaliste qu’avec les méthodes conventionnelles. Cette méthode de stress et d’analyse du vieillissement permet également une meilleure estimation de la durée de vie des transistors. Cette innovation vient répondre aux nouveaux besoins de caractérisation du fait de l’arrivée de technologies de semiconducteurs « grand gap » qui ont permis de repousser les limites de puissances et de fréquences des émetteurs RADAR. Cette nouvelle méthode permet notamment de renforcer la fiabilité, l’opérabilité et la maintenabilité de ces appareils.