Déclinée dans différentes configurations et topologies, la gamme IGBT 7 de l’Américain voit sa densité de puissance améliorée par rapport à la génération précédente dans les applications nécessitant des tensions allant de 1200 à 1700 V et des courants de 50 à 900 A.
Les IGBT n’ont pas dit leur dernier mot. C’est en substance le message qu’a voulu passer Microchip lors du salon Electronica, qui s’est déroulé la semaine dernière à Munich, face à la poussée des semiconducteurs à grand gap dans les applications de puissance. Jouant la carte de la polyvalence, l’Américain a dévoilé sa dernière génération d’IGBT, référencée IGBT 7, qu’il décline dans différents boîtiers, topologies et gammes de courant et de tension, mais qui ont tous en commun d’améliorer leur densité de puissance et de réduire leurs pertes par rapport aux générations précédentes, tout en conservant des dimensions compactes.
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