Cette collaboration accélèrera le développement et le lancement sur le marché de solutions de puissance avancées en GaN.
Elle s’appuie sur l’expertise de ST sur le marché de l’automobile et le leadership de TSMC en tant que fondeur de semiconducteurs.
Elle permettra d’améliorer l’efficacité en large bande pour un meilleur rendement énergétique des applications de conversion de puissance.
STMicroelectronics, un leader mondial des semiconducteurs dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, et TSMC (TWSE : 2330 et NYSE : TSM), le plus grand fondeur de semiconducteurs au monde, annoncent leur collaboration en vue d’accélérer le développement du procédé technologique en nitrure de gallium (GaN) et la livraison de composants discrets et de circuits intégrés en GaN pour les besoins du marché. Dans le cadre de cette collaboration, les produits innovants et stratégiques conçus par ST en nitrure de gallium seront fabriqués en utilisant le procédé technologique avancé en GaN de TSMC.