Les MOSFET CoolSiC d’Infineon, disponibles dès maintenant auprès de Rutronik, utilisent un processus de semi-conducteur à tranchée optimisé et de pointe qui permet la perte d’application la plus faible et la plus grande fiabilité de fonctionnement. Les...
L’emballage à base de PCB pour les dispositifs et modules d’alimentation GaN fait l’objet d’un consortium financé par le gouvernement britannique qui développera à la fois la technologie et une chaîne d’approvisionnement de modules GaN...
Le consortium réuni autour des deux compagnies aériennes, qui inclue aussi la firme Dante Aeronautical, prévoit que son avion électrique soit homologué pour voler à partir de 2024. Le projet d’avion électrique développé par les deux compagnies aériennes...
Les dispositifs cascode à large bande interdite (WBG) combinent les avantages de la capacité de commande de grille et de la fiabilité des MOSFET au silicium avec l’efficacité de conversion de puissance et le taux de commutation des dispositifs à large bande...
La fiabilité des dispositifs de puissance 4H-SiC tient non seulement aux packages de puissance mais aussi aux matériaux SiC qui contiennent des défauts qui impactent les performances des convertisseurs de puissance. Un défaut matériel préjudiciable qui entrave...
