The fluctuation of the threshold voltage (Vth) presents a challenge while monitoring electrical drift in reliability studies of GaN HEMTs. While technologies, such as ohmic p-GaN, may lessen V th fluctuations, the issue of recoverable charge trapping still remains....
Santa Clara, CA and Kyoto, Japan, Dec. 12, 2024 (GLOBE NEWSWIRE) — ROHM Semiconductor today announced the adoption of its PMICs in power reference designs focused on the next-generation cockpit SoCs Dolphin3 (REF67003) and Dolphin5 (REF67005) by Telechips, a...
Les matériaux électroactifs organiques, susceptibles de présenter de bonnes propriétés des couplages électromécaniques, ouvrent la voie à de nombreuses applications d’actionneurs et/ou capteurs hautement intégrables aux structures. Cela permettra à terme d’ajouter...
Déclinée dans différentes configurations et topologies, la gamme IGBT 7 de l’Américain voit sa densité de puissance améliorée par rapport à la génération précédente dans les applications nécessitant des tensions allant de 1200 à 1700 V et des courants de 50 à 900 A....
Les composants de puissance évoluent pour répondre aux demandes croissantes d’efficacité, de taille réduite et de performances accrues dans les systèmes électroniques de puissance. Pour offrir aux concepteurs de systèmes une large gamme de solutions de puissance,...
