Cambridge GaN Devices (CGD) a annoncé que des recherches tierces indépendantes menées par un établissement de recherche universitaire, Virginia Tech University, démontrent que la technologie ICeGaN GaN du CGD est plus fiable et robuste que les autres plateformes GaN....
Le leader des semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération annonce une étape importante dans l’industrie sur un marché potentiel de 13 milliards de dollars par an couvrant les véhicules électriques, les centres de données, l’énergie solaire, les...
La troisième génération de Mosfet au carbure de silicium (SiC) 650V et 1200V de Toshiba est désormais présente au catalogue d’element14. Le distributeur assure que ces produits « très polyvalents » peuvent honorer une vaste gamme d’applications comme les alimentations...
Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de Toshiba améliorent l’efficacité et permettent d’économiser de l’espace dans les applications industrielles… Farnell a annoncé la mise sur le marché des MOSFET en carbure de silicium (SiC) de...
Visitez n’importe quel salon avec un élément semi-conducteur de puissance et il ne vous faudra pas longtemps pour parler de GaN (nitrure de gallium) ou de SiC (carbure de silicium). Les commutateurs à large bande interdite (WBG) ont parcouru un long chemin...
