Innoscience Technology a lancé la série Bi-GaN de dispositifs GaN HEMT bidirectionnels qui économisent de l’espace et permettent une charge rapide sans souffrir de la limitation de la fiabilité et d’éventuelles augmentations dangereuses de la température...
Ces nouveaux dispositifs vont améliorer l’efficacité énergétique et réduire la taille des applications industrielles… Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé cinq nouveaux MOSFET 650 V de 3ème génération en carbure de silicium (SiC), destinés aux...
OPPO annonce les premiers téléphones portables au monde avec protection de charge GaN intégrée 1 er Septembre 2022 – Innoscience Technology, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d’alimentation au nitrure de...
Toshiba a lancé un total de cinq nouveaux dispositifs MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V de troisième génération pour les équipements industriels. Ces produits hautement efficaces et polyvalents seront utilisés dans une variété d’applications exigeantes,...
San Diego, CA, July 13, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) — Researchers at General Atomics (GA) announced a new concept for advancing fusion energy using advanced Silicon Carbide (SiC)–based materials that can withstand the intense conditions within a high-power fusion...
