Les chercheurs de l’Université de Kobe et de l’Université nationale Chung Hsing ont développé un nouveau convertisseur de puissance DC-DC qui se distingue par son efficacité, sa fiabilité et sa durabilité. L’électricité se présente sous deux formes : le courant...
Par rapport aux modèles 1700 V, ces Mosfet de la gamme CoolSiC en version 2000 V offrent des densités de puissance accrues sans compromis sur la fiabilité du système. Infineon Technologies commercialise une version très haute tension de sa gamme CoolSiC de Mosfet en...
Validation récente d’un portefeuille de brevets de 5N+ essentiels à la mise au point de nouveaux interrupteurs de puissance à base de GaN sur silicium en structure verticale utilisés dans des applications liées à l’électronique à haute puissance 600V/...
Three years after the launch of the initial SiCRET project, SiCRET+, a project which began in October 2023, is extending the scope of its study to include silicon carbide (SiC) power modules. The aim is to understand the ageing of power modules in normal and degraded...
Le groupe allemand a déposé plainte ce jour, devant un tribunal californien, contre l’entreprise chinoise pour violation d’un brevet relatif aux composants de puissance en nitrure de gallium. Alors que le GaN monte progressivement en puissance, dans tous les sens du...
