Infineon Technologies AG de Munich, en Allemagne, a annoncé un partenariat dans le cadre duquel elle fournira ses dispositifs à semi-conducteurs de puissance CoolSiC MOSFET 1 200 V — en combinaison avec les circuits intégrés compacts de commande de grille isolée...
Une équipe de recherche dirigée par le professeur agrégé Jianbo Liang et le professeur Naoteru Shigekawa de la Graduate School of Engineering de l’Université métropolitaine d’Osaka au Japon a fabriqué des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en...
Des chercheurs de l’Université métropolitaine d’Osaka prouvent que les diamants sont bien plus que les meilleurs amis des filles. Leurs recherches révolutionnaires se concentrent sur les transistors au nitrure de gallium (GaN), qui sont des dispositifs...
Une équipe de recherche au Japon a exploré une nouvelle utilisation du diamant, bien au-delà de son attrait esthétique. Leur travail se concentre sur l’amélioration des transistors en nitrure de gallium (GaN), des dispositifs semi-conducteurs de haute puissance et...
Etage de puissance en nitrure de gallium (GaN) et transformateur multicouches planaire à haute fréquence. Haute densité de puissance dans un faible encombrement de 1×2,3 pouce (TEP45F, 65F). Brochage 45W et 65W interopérable… COSEL Co, annonce aujourd’hui...
