In this paper, we review the gate reliability of the GaN MOSc-HEMT as well as the specific method to address the peculiarities of these transistors. The long term forward gate TDDB will be explored showing the impact of the gate recession and gate material on the...
We discuss recent advancements in the development of vertical GaN devices, and the related reliability challenges. Key results indicate that: (i) vertical GaN devices can show high performance, low background doping, and kV-range breakdown voltages; avalanche...
Dans le cadre du plan « France 2030 », l’État français vient d’octroyer 60 M€ à l’Institut de recherche technologique (IRT) Saint Exupéry de Toulouse pour développer l’électrification des avions de demain. Le programme, baptisé FILAE, a été lancé ce 9 octobre 2024 au...
ConductRF a annoncé qu’elle exposera au plus grand événement du secteur en Europe, la Semaine européenne des micro-ondes (EuMW), à Paris, en France, du 24 au 27 septembre 2024. Elle exposera sur le stand n° 715B avec son représentant européen, Richardson...
Communication satellites and flying antenna platforms can contribute to the comprehensive and resilient operation of global mobile networks of the fifth and sixth generation (5G, 6G). However, as large parts of the millimeter wave (mmW) frequency spectrum must be...
