The EPC7018 joins the company’s EPC7014, EPC7007, EPC7019 in its Rad-Hard family. All are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN FET and IC family. Packaged versions will be available from EPC Space. GaN has higher breakdown strength, lower...
Nous présentons un enseignement sous forme de cours, Tps et projets tutorés sur le domaine de l’impression jet d’encre de matériaux pour l’électronique imprimée (réalisation de capteurs et d’OLED (organic light-emitting diode)). Nous aborderons avec les étudiants les...
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Single event burnout sensitivity of SiC and Si Source :...
GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada (a fabless developer of gallium nitride-based power switching semiconductors for power conversion and control applications) has announced availability of its GaN transistor ADS (Advanced Design System) models to facilitate...
In this work we analysed the performance of AlGaN/GaN HEMT based on the linearity metrics for variable source/drain spacing with a fixed gate length (1μm) using Sentaurus TCAD device simulator. Various figure of merits such as transconductance, higher order...
