GaN HEMTs are very reliable, but the precise answer is still being refined. Reliability relates to anticipated useful life and is typically measured in mean-time-to-failure. Reliability can be anticipated and determined in advance by testing and measurement. Proving...
Enhancement mode (e-mode) GaN high electron mobility transistors (HEMTs) generally behave like n-channel power MOSFETs. Common curve tracers, parametric analyzers, and automatic discrete device parametric testers used for an n-channel power MOSFET can be applicable...
Rouen, le 07 février 2022 – Regroupement d’experts de la fiabilité des systèmes et des composants électroniques, le Centre Français de Fiabilité (CFF) concourt à une meilleure fiabilité des systèmes de plus en plus complexes et intégrés, et développés dans des temps...
Electric vehicles are increasingly driving on our roads, the majority of them are powered by a battery (BEV) and only a few models by a fuel-cell. The foreseeable future for passenger vehicles is in BEVs and for trucks perhaps in hydrogen-driven fuel cells, since...
Venez partager un temps d’échanges sur pour vous présenter les compétences au sein de la communauté CFF, et de donner « carte blanche » à un membre pour présenter des travaux, des projets, des résultats et des perspectives, sur un sujet particulier en lien avec...
