Actuellement, la majorité des convertisseurs embarqués dans des trains circulant sous une caténaire alternative est composée d’un transformateur basse fréquence, puis de redresseurs,alimentant des moteurs de traction via des onduleurs de traction. Les inconvénients...
IC comprend HEMT, pilote, détection de courant et protection ; Il élimine le LDO dans les conceptions USB-PD… Innoscience, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d’alimentation de haute performance et à faible coût...
L’industrie aéronautique connaît une transformation remarquable vers des avions plus durables et technologiquement avancés. Ce changement est particulièrement évident dans le développement des futurs avions à propulsion hybride et des véhicules aériens urbains (UAV)...
Le centre de R&D a développé un procédé de croissance du GaN sur tranche de silicium de 200, voire 300 mm de diamètre, moins onéreux que le procédé GaN sur substrat SiC conventionnel, mais quasiment aussi performant jusqu’à 30 GHz et plus. Les substrats SiC hautes...
Une équipe de recherche dirigée par le professeur agrégé Jianbo Liang et le professeur Naoteru Shigekawa de la Graduate School of Engineering de l’Université métropolitaine d’Osaka au Japon a fabriqué des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en...
