A room-temperature bonding technique for integrating wide bandgap materials such as gallium nitride (GaN) with thermally-conducting materials such as diamond could boost the cooling effect on GaN devices and facilitate better performance through higher power levels,...
Le Californien Transphorm, pionnier dans le développement et la fabrication de semiconducteurs à haute fiabilité et haute performance en nitrure de gallium (GaN) pour la conversion de puissance, a levé 21,5 millions de dollars dans le cadre d’un financement par...
Après le partenariat technologique conclu avec TSMC, STMicroelectronics jette son dévolu sur Exagan, une pépite française à la pointe des puces en nitrure de gallium. Une opération qui vise à accélérer son développement sur cette technologie prometteuse de composants...
Événement passé : Retrouvez le programme et le formulaire d’inscription pour l’édition 2021 ici ↓ → NRTW 2021 NRTW – Le futur des technologies pour la mobilité Maintien du NRTW de façon dématérialisée (WEBEX) – Inscription gratuite mais...
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