Charge trapping is one of the main reliability issues for GaN-based MIS-high-electron-mobility-transistor technologies. In this paper, we focus on the defects located at or close to the interface with the dielectric, which are responsible for the threshold voltage...
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité qui abordera : Mondial Dispositif d’alimentation basé sur GaN Marché 2017-2026 | Cree...
AsteelFlash, champion français de la sous-traitance électronique, négocie son rachat par le groupe taïwanais USI pour 450 millions de dollars. A moins de trois ans de son départ à la retraite, son PDG-fondateur Gilles Benhamou, veut ainsi assurer la croissance et la...
Designers of high voltage/high power systems can improve power supply efficiency by up to four percentage points over competitive solutions, reducing power loss and the resulting carbon footprint by 30%, says the company. The driver IC is for use in switch-mode power...
Un modèle de micromécanique est présenté pour prédire la résistance à la traction résiduelle des minicomposites SiC / C / SiC dans la plage de température de 900 à 1300 ° C dans les environnements oxydants soumis à une contrainte. Le modèle est basé sur un nouveau...
