Capable de délivrer une puissance maximale de 1 kW (85 A sous 12 V) dans un encombrement réduit, le convertisseur LLC 48 V/12 V référencé EPC9159 affiche une densité de puissance record supérieure à 300 W/cm³. Dans la course à la densité de puissance, les...
BERLIN–(BUSINESS WIRE)–Gallium Semiconductor, célèbre fournisseur de solutions de semi-conducteurs RF GaN, a annoncé aujourd’hui la disponibilité de l’amplificateur ISM CW GTH2e-2425300P, un transistor à haute mobilité d’électrons (HEMT) discret GaN-sur-SiC de 2,4-2,5...
Want to know why GaN chargers are so small but powerful? Learn about GaN technology and get the best charger for your phone right here! Most of the best smartphones available nowadays no longer come with a charging adapter in the box. You either have to buy a new one...
Transphorm a démontré un temps de tenue aux courts-circuits (SCWT) jusqu’à 5 microsecondes sur un transistor de puissance GaN avec une nouvelle technologie brevetée. Il s’agit du premier temps de tenue de ce type pour un dispositif GaN, marquant une étape...
3D GaN Technology: The Next Big Thing in Power Electronics and Telecommunication Systems – Fagen Wasanni Technologies Pour en savoir plus : 3D GaN Technology: The Next Big Thing in Power Electronics and Telecommunication Systems Partager Facebook Twitter...
