Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.
Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera :
- Toshiba lance un MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V
Source : www.electronique-mag.com – 2020-10-21
Lire la suite - Webinaire : Atelier – Le packaging au cœur de la mobilité de demain – Innovation des modules de puissance
Source : www.aerospace-valley.com – 2020-10-11
Lire la suite - GaN FET hermetica half bridge delivers 15 A
Source : www.powerelectronictips.com – 2020-10-06
Lire la suite - Reliability and Robustness tests for next-generation High-Voltage SiC MOSFETs
Source : ieeexplore.ieee.org – 2020-10-02
Lire la suite - ST associe circuit de commande et transistors GaN pour des chargeurs plus compacts et plus rapides
Source : vipress.net – 2020-10-01
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